08.06.2024
IXFN24N100
Характеристики IXFN24N100
-
СерияHiPerFET™
-
ПроизводительIXYS
-
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
-
FET FeatureStandard
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs390 mOhm @ 12A, 10V
-
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C24A
-
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA
-
Gate Charge (Qg) @ Vgs267nC @ 10V
-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds8700pF @ 25V
-
Power - Max568W
-
Исполнение / КорпусSOT-227, miniBLOC
-
УпаковкаTube
Полная характеристикаСкрыть
Новости электроники
07.06.2024
06.06.2024